Modèle de Produit

CM150E3U-24F

Introduction

Module IGBT pourApplications Électroniques de Puissance

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Module transistor bipolaire isolé à haute efficacité (IGBT), faible perte de puissance et commutation douce, diode de roue libre intégrée pour de meilleures performances

Performance du Produit

Optimisé pour la commutation à haute vitesse, excellente performance thermique grâce à un emballage avancé, capacité de haute tension jusqu'à 1200V

Spécifications Techniques

Tension collecteur-émission: 1200V, courant collecteur: 150A, tension porte-émission: ±20V, dissipation de puissance: 780W

Dimensions, Forme et Conditionnement

Type de module: colis de module, forme rectangulaire, dimensions: 140 mm x 190 mm, emballé dans un matériau antistatique

Qualité et Fiabilité

Construit selon de hauts standards de qualité Mitsubishi, robuste dans des environnements difficiles, longue durée de vie opérationnelle avec une dégradation minimale

Avantages du Produit

Capacité de transport de courant élevée, conversion de puissance efficace qui réduit les coûts énergétiques globaux, adapté aux systèmes de puissance complexes

Compétitivité du Produit

Concurrence avec les principaux fabricants de modules IGBT, offre des performances supérieures en termes d'efficacité et de fiabilité

Compatibilité

Compatible avec les pilotes et contrôleurs IGBT standard, adapté à une utilisation dans des conceptions électroniques de puissance existantes sans modifications majeures

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales en matière de sécurité et de performance

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une fiabilité à long terme, respectueux de l'environnement avec des composants recyclables

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les systèmes d'entraînement de véhicules électriques, systèmes de génération d'énergie, entraînements de moteurs industriels, systèmes de gestion de l'énergie

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